0 引言
蒙脱土纳米复合材料是近l O年发展起来的一类新 型复合材料,与常规复合材料相比,具有许多突出的 优点:天然存在、资源丰富、价格低廉;很低的无机 相即可使材料的力学性能、热性能以及阻隔性能、阻 燃性能等得到显著改善,还兼具有其他特殊的功能⋯。
其界面性质由亲水变成疏水,增加层间距,利于与聚
合物的插层。通过采用长链烷基季铵盐改性蒙脱土, 使其层间距得到增加;同时利用偶联剂能够架起无机 物与有机物之间的“桥梁”,对改性后的蒙脱土进行二 次改性来增加蒙脱土与聚合物的相容性,从而获得高 性能无机纳米复合材料。
1 材料与方法
1.1 材料与主要仪器
原材料:EVOH AT4403(乙烯/乙烯醇共聚物),乙 烯质量分数为44%,质量浓度为1.14 g/cm3,浙江余姚 市博一贸易有限公司生产;钠基改性蒙脱土:自制。 化学试剂:N,卜卜二甲基甲酰胺,分析纯;双十八烷
基二甲基氯化铵;硅烷偶联剂KH550、KH560、KH570; 钛酸酯偶联剂。
主要实验设备与仪器见表l。
表1 实验设备与仪器
Table 1 Equipmentsand imtruments of experiments
仪器名称 仪器型号 生产厂家 变速调频搅拌器 JBV一Ⅲ中南大学自动燃开发公司 控温电热套 KDM 山东菏泽康益电子仪器厂
电子天平 I,I.6000-S MEFII_ER梅特勒一托利多M唧琢
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1.2 蒙脱土的有机化处理12】 取一定量的纳基蒙脱土(MMT)和去离子水配成蒙
脱土悬浮液,用HCl调制溶液pH值为1,恒温(80℃) 加热搅拌3 h后加入一定量的改性剂双十八烷基二氯化 铵,恒温(80℃)加热搅拌3 h后趁热过滤,并反复用 热的去离子水洗涤沉淀物,直至溶液用AgN03检验无Cr 存在,然后恒温(80 oC)干燥,制得有机蒙脱土(OMMT o
1.3 偶联剂改性有机蒙脱土 将制得的有机蒙脱土分散在水中,搅拌均匀,配
制成质量分数为0.2%的溶液,然后往配制好的溶液中
加入一定量的偶联剂,在恒温40℃下搅拌5 h,烘干 研磨过200目筛备用。
1.4 溶液插层法制备EVOH,蒙脱土纳米复合材料 将25 g EVOH树脂和100 mL N,N|一二甲基甲酰胺溶 剂加入三口烧瓶中,加热至120 oC并搅拌使EVOH树脂 充分溶解;取一定量改性蒙脱土(质量分数5%)溶 解到20 mL N,N一二甲基甲酰胺溶剂中并倒入上述溶液
中,回流搅拌2 h备用。
1.5 EVOH/蒙脱土纳米复合膜的制备
在EVOH/蒙脱土纳米复合材料溶液制成后,要趁 热将溶液倒在平滑的玻璃面板上,让其均匀覆盖;然 后将玻璃板放入电热恒温真空干燥箱里,将温度设定 到100℃,干燥1 h后将其从玻璃板上剥离下来,即得 EVOH/蒙脱土纳米复合膜。
1.6衷征与测试
表征测试:FTIR测试;XRD测试;SEM测试。 膜性能测试:力学性能测试(GBl3022-1991)、透
气性测试(GB 1038—2000)、透湿性测试(GB 1037-88)、
透明性测试(GB2410-80)。
2 结果与分析
2.1 FTIR研究 图1为钠基蒙脱土和改性后有机蒙脱土的红外光
谱图。蒙脱土的化学式为:
(Na,K,Ca)o33(A11 67M岛∞)Si40lo(0H)2ⅥH20, 所以在蒙脱土原土的红外光谱图上波数为450—540 cmq 处出现了硅氧四面体和铝氧八面体的内部振动,在波 数为751.88 cml和l 578.29 cm-1附近出现Si—O键的伸 缩振动,在2 428.61 cml和3 570.28 Clllq出现羟基弯曲 和伸缩振动;再由图可见,改陛后的蒙脱土在2 400 cml 附近的特征峰明显减弱,这是由于有机改性使得蒙脱 土产生了疏水作用,导致羟基间的缔合减少【3J,从而 可知插层剂已进入到蒙脱土片层间;同时改性蒙脱土 在2950。2 830cm-1和1 500cm-1附近出现H—C—H的 对称伸缩振动峰和非对称伸缩振动峰,这也表明改性 剂双十八烷基二氯化铵确实已经渗透到蒙脱土的硅酸 盐片层间。
圈l奠脱土与有机蒙脱土的红外光谱圈
Fig.1 The FTIR spectra of montmorillonite clay
’
and organic montmorillonite clay
2.2 XRD研究 对蒙脱土改性的目的主要在于对蒙脱土进行表面
修饰,改善界面微环境,使其界面性质由亲水变成疏
水,增加层间距,利于与聚合物的插层。而XRD普图
中,衍射角20<100时出现的峰为蒙脱土d。.面峰,
反映的是蒙脱土层间距;根据Bragg方程2d sin0=A[41 (d为蒙脱土片层间的平均距离,A为人射x射线的波 长)即可算出蒙脱土片层间的距离,从而最终确定蒙 脱土的改性效果。
从图2、3可知,经有机化处理的蒙脱土特征峰有 向日小角偏移的趋势,由Bragg方程可得层间距d与 衍射角8成反比,随着衍射角0减小,层间距d将增 大。图2中蒙脱土特征峰的衍射角2 0=6.00,而改性
后蒙脱土有2个明显的曲线峰,相对的衍射角分别为
2 0,=4.50和2 9,=2.50,通过公式可计算出:钠基蒙脱 土层间距d=1.470 am;双十八烷基二氯化铵改性蒙脱 土层间距dl=1.961 nm,么=3.529 am,可见蒙脱土的层间 距有较为明显的增加,这表明插层剂成功地进入了蒙 脱土的片层之间,并使蒙脱土片层间距增大。(责任编辑:南粤论文中心)转贴于南粤论文中心: http://www.nylw.net(南粤论文中心__代写代发论文_毕业论文带写_广州职称论文代发_广州论文网)